[发明专利]摄像装置、其制造方法以及摄像显示系统有效
申请号: | 201310043385.5 | 申请日: | 2013-01-31 |
公开(公告)号: | CN103247645B | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 加藤隆幸;武田薰;杉山裕纪;伊吹信哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种摄像装置、其制造方法以及摄像显示系统。摄像装置包括传感器基板。该传感器基板包括形成在基板上的多个光电转换元件和用于该多个光电转换元件的驱动元件;电连接到驱动元件的配线;以及屏蔽电极,设置在多个光电转换元件和配线之间的区域中且在与配线不同的层中。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 制造 方法 以及 显示 系统 | ||
【主权项】:
一种摄像装置,包括:传感器基板;所述传感器基板包括形成在基板上的多个光电转换元件和用于所述多个光电转换元件的驱动元件,电连接到所述驱动元件的配线,以及屏蔽电极,设置在所述多个光电转换元件和所述配线之间的区域中且,其中所述屏蔽电极相对于所述配线提供在上层侧;在每一个所述光电转换元件中,下电极、光电转换层和上电极按该顺序层叠;并且所述屏蔽电极设置在与所述配线的层不同、与所述下电极相同的层中,所述配线是信号线,摄像信号从所述光电转换元件通过所述驱动元件经该信号线读出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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