[发明专利]ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310044088.2 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103074576A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 林元华;张玉骏;罗屹东;南策文 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。方法一以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过水溶液共沉淀法得到掺杂的ZnO粉体，然后采用固相法烧结得到陶瓷靶材，再通过脉冲激光沉积法(PLD)制备成掺杂的稀磁半导体ZnO薄膜，或者同样以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过溶胶凝胶法，经过配制溶胶——甩胶——热处理的工艺流程，制备成掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。如此制备的ZnO基薄膜的禁带宽度可以由Mg和Cd的掺杂进行调控，进而调控其铁磁性。掺Co或Mn的ZnO基稀磁薄膜中共掺入Cd可以使带隙减小，薄膜的室温饱和磁化强度增大，而共掺Mg可以使带隙增大，薄膜室温饱和磁化强度减小。 | ||
| 搜索关键词： | zno 基稀磁 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO基稀磁半导体薄膜，其组成为Zn0.9M0.05R0.05O或Zn0.95M0.05O；其中，M为Co或Mn，R为Mg或Cd。
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