[发明专利]氮化物基异质结半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310044202.1 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103247695A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋;郑在现 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种氮化物基异质结半导体器件及其制造方法。所述氮化物基异质结半导体器件包括：布置在衬底上的氮化镓层；布置在所述氮化镓层上的铝掺杂氮化镓层；布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第一区域中的肖特基电极；布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第二区域中的氮化铝镓层；以及布置在所述氮化铝镓层上的欧姆电极。所述第一区域不同于所述第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 基异质结 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物基异质结半导体器件，包括：氮化镓层，其布置在衬底上；铝掺杂氮化镓层，其布置在所述氮化镓层上；肖特基电极，其布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第一区域中；氮化铝镓层，其布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第二区域中，所述第二区域不同于所述第一区域；以及欧姆电极，其布置在所述氮化铝镓层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310044202.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种固体燃料炉灶的气化燃烧器
- 下一篇：铸铁斜片式省煤器
- 同类专利
- 专利分类
