[发明专利]叠层封装类型的半导体封装件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310044270.8 申请日: 2013-02-04
公开(公告)号: CN103247544A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 韩承赞;金贤哲 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/56;H01L25/065;H01L23/48;H01L23/31
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种半导体封装件以及形成半导体封装件的方法,所述方法可以包括:提供第一封装件,其包括安装在具有通孔的第一封装件衬底上并且由第一模塑层模塑的第一半导体芯片;提供第二封装件,其包括安装在具有连接焊盘的第二封装件衬底上并且由第二模塑层模塑的第二半导体芯片;将第一封装件层叠在第二封装件上,以便将通孔与连接焊盘垂直对准;形成穿透第一封装件和第二封装件并且暴露出连接焊盘的穿孔;以及在穿孔中形成电连接部件。所述电连接部件可以将第一封装件和第二封装件彼此电连接。
搜索关键词: 封装 类型 半导体 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造半导体封装件的方法,其包括:提供第一封装件,其包括安装在具有通孔的第一封装件衬底上的第一半导体芯片,所述第一半导体芯片由第一模塑层模塑;提供第二封装件,其包括安装在具有连接焊盘的第二封装件衬底上的第二半导体芯片,所述第二半导体芯片由第二模塑层模塑;将所述第一封装件层叠在所述第二封装件上,以便将所述通孔与所述连接焊盘垂直对准;形成穿透所述第一封装件和所述第二封装件的穿孔,从而暴露出所述连接焊盘;以及在所述穿孔中形成电连接部件,所述电连接部件将所述第一封装件电连接到所述第二封装件。
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