[发明专利]LED发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310044888.4 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103117344A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 华斌;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 226500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LED发光器件，包括半导体衬底，衬底上依次形成有N型GaN层、外延发光层和P型GaN层，P型GaN层的表面上的预定区域通过离子溅射或等离子轰击造成损伤，或者通过离子注入的方式改变表面掺杂，以使该预定区域内的p型GaN呈现接近绝缘的高接触电阻特性，P型GaN层上形成有透明导电层以及P型电极，P型电极与预定区域的位置相对应。与现有技术相比，本方案简化了工艺流程，节约了制作成本，以简单的工艺代替了复杂的电流阻挡层工艺，对于降低芯片成本，提高量产产能具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | led 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED发光器件，包括：半导体衬底，所述的衬底上依次形成有N型GaN层、外延发光层和P型GaN层，其特征在于：所述的P型GaN层的表面上的预定区域通过离子溅射或等离子轰击造成损伤，或者通过离子注入的方式改变表面掺杂，以使该预定区域内的p型GaN呈现接近绝缘的高接触电阻特性，所述的P型GaN层上形成有透明导电层以及P型电极，所述的P型电极与预定区域的位置相对应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海迪科（南通）光电科技有限公司，未经海迪科（南通）光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310044888.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高速棉纺精梳机台面导条机构
- 下一篇：一种新型纺丝机进回酸装置
