[发明专利]一种电泳辅助的太阳能级多晶硅提纯方法有效
| 申请号： | 201310044935.5 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103072996A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李伟生;龚炳生;王晓艳 | 申请（专利权）人： | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人： | 另婧 |
| 地址： | 364211 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种涉及多晶硅的提纯，尤其是一种电泳辅助的太阳能级多晶硅提纯方法。其步骤为：将硅块放置于石墨坩埚中，开启中频炉感应加热至工业硅完全熔化；保持温度，加入造渣剂进行造渣除硼和金属杂质；造渣完成后，开启真空熔炼炉进行真空熔炼除磷和金属杂质；向硅液中施加直流电压，使金属杂质富集；最后进行定向凝固，得到6N级太阳能级多晶硅。本发明采用了造渣、真空熔炼和电泳相结合的方法进行除杂，成本低、环境友好且提纯效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电泳 辅助 太阳 能级 多晶 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种电泳辅助的太阳能级多晶硅提纯方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1）将工业硅装入石墨坩埚中，打开中频炉熔炼开关，调节中频功率使工业硅完全熔化为硅液；2）保持硅液温度在1550～1700℃，将造渣剂加入硅液中，经搅拌、保温、造渣反应后去除硅液表面的浮渣；3）造渣后，盖上真空盖开启真空泵，在真空状态下进行熔炼，得到熔融硅液；4）向熔融硅液中施加直流电压，保持一段时间，使金属杂质向电极富集；5）保持熔融硅液温度在1450～1550℃，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，并切除上层杂质富集区，得到提纯后的多晶硅。
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