[发明专利]一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置有效
| 申请号： | 201310044961.8 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103072997A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 叶文金;龚炳生;李伟生 | 申请（专利权）人： | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人： | 王彩霞 |
| 地址： | 364211 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置。一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相接，石墨坩埚与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在通电状态下，石墨坩埚以0.10～0.15mm/min的速率为下降，离开加热区，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层杂质富集区，得到金属杂质小于0.1ppm的多晶硅。本发明采用了电泳和定向凝固的特殊方法，工艺简单、易于操作，极大提高了提纯的效果和有效的降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 多晶 金属 杂质 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的上表面，石墨板与外界直流电压的负极相接，石墨坩埚与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在通电状态下，石墨坩埚以0.10～0.15mm/min的速率为下降，离开加热区，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层杂质富集区，得到提纯后多晶硅。
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