[发明专利]一种基于非N型InP衬底的雪崩光电二极管及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于非N型InP衬底的雪崩光电二极管及其制备方法，该雪崩光电二极管包括InP衬底，InP衬底表面依次生长有缓冲层、扩散阻挡层、雪崩倍增层、电场控制层、渐变层、光吸收层、窗口层和接触层，InP衬底为p型衬底或半绝缘衬底，所述的扩散阻挡层能降低缓冲层中掺杂原子向雪崩倍增层中的扩散，窗口层为半绝缘InP窗口层，所述的窗口层的中心具有通过扩散形成的导电区，所述窗口层在导电区的外部具有环形沟道。本发明的环形沟道可以有效减小整个pn结的面积，可以有效降低APD的暗电流到nA级，并且本发明只需要一次扩散就可以抑制InGaAs/InP雪崩光电二极管的边缘击穿，可以精确控制倍增层的厚度。

主权项

一种基于非N型InP衬底的雪崩光电二极管，包括InP衬底，所述InP衬底表面依次生长有缓冲层、扩散阻挡层、雪崩倍增层、电场控制层、渐变层、光吸收层、窗口层和接触层，其特征在于：所述的InP衬底为p型衬底或半绝缘衬底，所述的扩散阻挡层能降低缓冲层中掺杂原子向雪崩倍增层中的扩散，所述窗口层为半绝缘InP窗口层，所述的窗口层的中心具有通过扩散形成的导电区，所述的接触层位于导电区上方，所述窗口层在导电区的外部具有环形沟道，所述的窗口层上方形成有介质绝缘层。