[发明专利]用于锂二次电池的电极、制造方法及锂二次电池有效
| 申请号： | 201310045515.9 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103258989B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 徐淳星;尤里·马图莱维奇;权昇旭;朴燿翰;郑昶义;金哉赫;李天珪;崔钟书 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/052;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于锂二次电池的电极包括硅类合金，并具有至约1μm至约10μm的表面粗糙度和5μm或更小的表面粗糙度偏差。制造所述电极的方法包括混合电极组合物，研磨所述组合物，在集流体上涂布所述研磨的组合物，和干燥所述研磨的组合物。锂二次电池包括所述电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 二次 电池 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于锂二次电池的电极，包含含硅类合金的电极活性物质，所述电极具有1μm至10μm的表面粗糙度和5μm或更小的表面粗糙度偏差，其中，所述硅类合金中硅的含量为60原子％至75原子％，所述硅类合金包含活性硅和非活性硅，基于所述硅类合金中所述活性硅和所述非活性硅的总量，所述活性硅的量为40原子％至80原子％，且所述硅类合金包含由Si‑M‑A表示的合金，其中：M为Al、Ti或Fe；A为Ni或Mn；并且M和A彼此不同。
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