[发明专利]制备原位级发光二极管阵列结构的方法

摘要

一种制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中每个发光二极管包括以下步骤：在一衬底上依次生长n型层、有源层和p型层；在p型层上面的一侧向下刻蚀，分别形成第一、第二台面；在第一、第二台面上向下制备导电通孔，并填充导电金属；制备绝缘层；制备p电极和n电极；将衬底减薄；制备第一背电极和第二背电极，形成发光二极管；利用荧光粉涂覆工艺，对阵列中的发光二极管涂覆可以被激发出不同颜色的荧光粉，并封装发光二极管；在衬底的背面制备金属化图形，将每一发光二极管电性连接；切割，完成原位级发光二极管阵列结构的制备。本发明简化了工艺路径，降低了全工艺成本。

主权项

一种制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中每个发光二极管包括以下步骤：步骤1：在一衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层；步骤2：采用光刻工艺在p型层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型层的表面，该n型层的一侧形成第一台面，在p型层上面的另一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达衬底的表面，该衬底的一侧形成第二台面；步骤3：在第一台面及第二台面上向下制备导电通孔，并在导电通孔内填充导电金属；步骤4：在靠近第二台面的n型层、有源层和p型层的端部并覆盖部分p型层的上表面，制备绝缘层；步骤5：在绝缘层上制备p电极，该p电极覆盖绝缘层和部分p型层，并与导电通孔中的导电金属连接；步骤6：在第一台面上的导电通孔上制备n电极，该n电极与导电通孔中的导电金属连接；步骤7：将衬底减薄；步骤8：在减薄后的衬底的背面的两侧分别制备第一背电极和第二背电极，该第一背电极和第二背电极分别通过导电通孔中的导电金属与p电极和n电极连接，形成发光二极管；步骤9：利用荧光粉涂覆工艺，对阵列中的发光二极管涂覆可以被激发出不同颜色的荧光粉，并封装发光二极管；步骤10：在衬底的背面制备金属化图形，将每一发光二极管电性连接；步骤11：切割，完成原位级发光二极管阵列结构的制备。