[发明专利]有机发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201310047382.9 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN103779380B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 鲁承旭 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开一种有机发光装置包括:基板;多个薄膜晶体管,形成于所述基板机上;第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜,形成于所述薄膜晶体管之上,并具备开口部,且具有彼此不同的高度;第一有机发光层、第二有机发光层、第三有机发光层,形成于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部,并连接于对应的薄膜晶体管,所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜相互分开布置,所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件具有彼此不同的厚度,且所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件具有对应于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的高度的厚度。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光装置,包括:基板;多个薄膜晶体管,形成于所述基板上;第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜,形成于所述薄膜晶体管之上,并具备开口部,且具有彼此不同的第一高度、第二高度、第三高度;第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件,形成于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部,并连接于对应的薄膜晶体管,所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜以矩阵形态排列而相互分开布置,所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件具有彼此不同的厚度,且所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件具有对应于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述第一高度、第二高度、第三高度的厚度,在所述第一像素定义膜、第二像素定义膜以及第三像素定义膜之间的整个区域形成有槽,所述槽沿横向和竖向延伸,所述槽的沿横向延伸的部分与所述槽的沿竖向延伸的部分交叉,且所述沿横向延伸的部分与所述沿竖向延伸的部分形成为一体,所述第一像素定义膜的第一高度大于所述第二像素定义膜的第二高度,所述第二像素定义膜的所述第二高度大于所述第三像素定义膜的第三高度,所述槽用于收容从所述第二像素定义膜和所述第三像素定义膜溢出的用于形成所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件的有机物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的