[发明专利]制造鳍片器件的方法和鳍片器件

摘要

本发明涉及制造鳍片器件的方法和鳍片器件。一种制造鳍片FET器件的方法，包括以下步骤。在晶片中构图多个鳍片。形成虚拟栅极以覆盖鳍片作为沟道区的部分。在虚拟栅极的相对侧上形成间隔物。去除虚拟栅极，因此形成位于间隔物之间的暴露器件的沟道区中的鳍片的沟槽。将氮化物材料沉积在沟槽中，以便覆盖器件的沟道区中的每个鳍片的顶部和侧壁。对晶片进行退火，在氮化物材料中诱导应变，由此形成应力氮化物膜，该膜覆盖器件的沟道区中的每个鳍片的顶部和侧壁并诱导应变。去除应力氮化物膜。形成替代栅极覆盖器件的沟道区中的鳍片。

主权项

一种制造鳍片场效应晶体管（鳍片FET）器件的方法，包括以下步骤：提供晶片；在所述晶片中构图多个鳍片；形成覆盖所述鳍片的一部分的虚拟栅极，其中所述鳍片被所述虚拟栅极覆盖的所述部分作为所述器件的沟道区，所述鳍片从所述虚拟栅极之下延伸出的部分作为所述器件的源极和漏极区；在所述虚拟栅极的相对侧上形成间隔物；去除所述虚拟栅极，由此在所述间隔物之间形成暴露所述器件的所述沟道区中的所述鳍片的沟槽；将氮化物材料沉积到所述沟槽中，以便覆盖所述器件的所述沟道区中的每个所述鳍片的顶部和侧壁；对所述晶片进行退火，以在所述氮化物材料中诱导应变，由此形成应力氮化物膜，所述应力氮化物膜覆盖所述器件的所述沟道区中的每个所述鳍片的所述顶部和侧壁并诱导应变；去除所述应力氮化物膜；以及形成替代栅极覆盖所述器件的所述沟道区中的所述鳍片。