[发明专利]一种用于GaN单晶衬底的表面抛光方法有效
| 申请号： | 201310047961.3 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103114323A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;C25F3/30;B24B37/00;C30B33/00;C30B33/10 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的电化学机械抛光的方法，包括：将氮化镓晶体和抛光盘分别作为阳极和阴极，针对GaN晶体的机械研磨和在电解液的中电化学机械抛光。本发明可在GaN晶体的表面获得表面粗糙度均方根小于0.5nm的平整度；本发明抛光效率高、划痕密度较低；无需使用强酸强碱做抛光液，可以在常温条件进行，简便易行，适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gan 衬底 表面 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种用于GaN外延衬底表面高精度抛光的方法，包括：用机械研磨方法对GaN晶体进行表面平整化加工；取下细抛的GaN晶体，依次使用丙酮、乙醇、去离子水清洗GaN的表面，氮气吹干后使用热塑型导电胶把GaN晶体固定在阳极金属压块上，晶体作为阳极连接直流电源的正极，抛光盘作为阴极连接在直流电源的负极上；使用电解液作为抛光液，保持抛光液温度为15‑30℃，调节GaN晶体抛光面的电流密度0.001‑0.5A/cm2，压力为0.001‑0.2MPa，抛光盘的转速为10‑180rmp，在抛光盘旋转的同时,GaN晶体保持自转，自转的速率为10‑200rmp。
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