[发明专利]一种环形硅深孔及环形硅深孔电极的制备方法在审
| 申请号： | 201310048397.7 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103985666A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种环形硅深孔及环形硅深孔电极的制备方法，包括：提供一硅衬底，于所述硅衬表面制作具有环形窗口的光刻掩膜；采用深度反应离子刻蚀工艺刻蚀所述环形窗口下方的硅衬底，形成环形硅深孔；于所述环形硅深孔的表面形成绝缘层及阻挡层；于所述绝缘层表面形成种子层；于所述种子层表面电镀铜，直至将所述环形硅深孔填满；采用机械化学抛光法对所述硅衬底表面进行抛光。本发明提供了一种环形硅深孔以及能有效地在环形硅深孔内制作铜电极的方法，可以有效避免铜与硅衬底的分层现象，获得性能稳定的硅深孔电极结构。本发明工艺简单，可以有效提高产品的良率，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环形 硅深孔 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种环形硅深孔的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一硅衬底，于所述硅衬底表面制作具有环形窗口的光刻掩膜；2）采用深度反应离子刻蚀工艺刻蚀所述环形窗口下方的硅衬底，形成环形硅深孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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