[发明专利]硫化镉量子点敏化分枝状二氧化钛纳米棒阵列电极及其制备方法和用途无效

专利信息
申请号: 201310048861.2 申请日: 2013-02-06
公开(公告)号: CN103151175A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 巩金龙;苏凤莉;吕睿;卢健伟;王拓;马新宾 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/042
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 琪琛
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种硫化镉量子点敏化分枝状二氧化钛纳米棒阵列电极及其制备方法和用途,组成TiO2纳米棒阵列的TiO2纳米棒包括主干纳米棒,主干纳米棒表面密布有分枝状结构,分枝状结构表面均匀负载有CdS量子点;制备方法由TiO2纳米棒阵列的制备,分枝状TiO2纳米棒阵列的制备,CdS量子点敏化分枝状TiO2纳米棒阵列的制备三步构成。本发明有效抑制了电子-空穴对的复合;提高了材料的光解水效率;使材料的吸光范围扩展到可见光区,提高了光电化学池光解水制氢活性;提高了CdS量子点的光腐蚀性能,从而能使材料的稳定性大大提高。本发明的制备方法操作过程简单,可控性强,光电催化性能稳定,重复性好。
搜索关键词: 硫化 量子 化分 枝状二 氧化 纳米 阵列 电极 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
一种硫化镉量子点敏化分枝状二氧化钛纳米棒阵列电极,包括衬底上的TiO2纳米棒阵列,其特征在于,所述衬底为FTO导电玻璃;所述组成TiO2纳米棒阵列的所述TiO2纳米棒包括主干纳米棒,所述主干纳米棒表面密布有分枝状结构,所述分枝状结构表面均匀负载有CdS量子点;所述主干纳米棒的直径为100‑300nm,长度为1.5‑3μm;所述分枝状结构的直径为10‑20nm,长度为50‑100nm;所述CdS量子点直径为5‑10nm。
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