[发明专利]半导体装置及其方法无效

专利信息
申请号: 201310049181.2 申请日: 2013-02-07
公开(公告)号: CN103247545A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 拉尔夫·奥特伦巴;林峰;阿卜杜尔·拉赫曼·穆罕默德;张翠薇;艾达·菲舍巴赫;克萨韦尔·施勒格尔;于尔根·施雷德尔;约瑟夫·赫格劳尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/488;H01L23/495
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;李静
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及半导体装置及其方法。该方法包括提供具有第一主表面和第二主表面的半导体芯片。以半导体芯片的第一主表面面向承载件的形式,将半导体芯片放置在承载件上。在第一主表面和承载件之间设置焊料材料的第一层。以第一接触区域面向半导体芯片的第二主表面的方式,将包括第一接触区域的接触夹放置在半导体芯片上。在第一接触区域和第二主表面之间设置焊料材料的第二层。其后,将热量施加于焊料材料的第一层和第二层,从而在承载件、半导体芯片和接触片之间形成扩散焊料结合。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 方法
【主权项】:
一种方法,包括:提供具有第一主表面和第二主表面的半导体芯片;将所述半导体芯片放置在承载件上,其中所述半导体芯片的所述第一主表面面向所述承载件,其中在所述第一主表面与所述承载件之间设置焊料材料的第一层;将包括第一接触区域的接触夹设置在所述半导体芯片上,其中所述第一接触区域面向所述半导体芯片的所述第二主表面,其中在所述第一接触区域与所述第二主表面之间设置焊料材料的第二层;并且之后将热施加于焊料材料的所述第一层和所述第二层,从而由焊料材料的所述第一层形成第一扩散焊料结合层并且由焊料材料的所述第二层形成第二扩散焊料结合层。
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