[发明专利]半导体装置及其方法无效
申请号: | 201310049181.2 | 申请日: | 2013-02-07 |
公开(公告)号: | CN103247545A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 拉尔夫·奥特伦巴;林峰;阿卜杜尔·拉赫曼·穆罕默德;张翠薇;艾达·菲舍巴赫;克萨韦尔·施勒格尔;于尔根·施雷德尔;约瑟夫·赫格劳尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/495 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体装置及其方法。该方法包括提供具有第一主表面和第二主表面的半导体芯片。以半导体芯片的第一主表面面向承载件的形式,将半导体芯片放置在承载件上。在第一主表面和承载件之间设置焊料材料的第一层。以第一接触区域面向半导体芯片的第二主表面的方式,将包括第一接触区域的接触夹放置在半导体芯片上。在第一接触区域和第二主表面之间设置焊料材料的第二层。其后,将热量施加于焊料材料的第一层和第二层,从而在承载件、半导体芯片和接触片之间形成扩散焊料结合。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:提供具有第一主表面和第二主表面的半导体芯片;将所述半导体芯片放置在承载件上,其中所述半导体芯片的所述第一主表面面向所述承载件,其中在所述第一主表面与所述承载件之间设置焊料材料的第一层;将包括第一接触区域的接触夹设置在所述半导体芯片上,其中所述第一接触区域面向所述半导体芯片的所述第二主表面,其中在所述第一接触区域与所述第二主表面之间设置焊料材料的第二层;并且之后将热施加于焊料材料的所述第一层和所述第二层,从而由焊料材料的所述第一层形成第一扩散焊料结合层并且由焊料材料的所述第二层形成第二扩散焊料结合层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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