[发明专利]半导体装置、制造半导体装置的方法以及电子设备有效
| 申请号： | 201310049242.5 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103247603B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 萩本贤哉;藤井宣年;青柳健一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体装置、制造半导体装置的方法以及电子设备。所提供的半导体装置包括半导体基板、形成在半导体基板上的层间绝缘层、形成在层间绝缘层的表面上的接合电极以及覆盖包括层间绝缘层和接合电极的接合表面的整个表面的金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体基板；层间绝缘层，形成在该半导体基板上；接合电极，形成在该层间绝缘层的表面上；以及膜，覆盖包括该层间绝缘层和该接合电极的接合表面的整个表面，其中，所述膜包括覆盖所述层间绝缘层的绝缘膜部分和覆盖所述接合电极的金属膜部分，以及其中，所述绝缘膜部分是金属膜部分的金属材料与层间绝缘层的反应产物。
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