[发明专利]一种高可靠性非挥发存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310049320.1 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103117359A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 黄如;余牧溪;蔡一茂 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及高可靠性非挥发阻变存储器及其制备方法，储器包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中，上电极位于器件顶部，下电极位于衬底上，在阻变材料的金属氧化物中掺杂金属，在上电极和阻变材料之间有增设一金属储氧层。其制备方法采用掺杂和双层相结合的方法，可制备高可靠性高一致性阻变存储器，较好提高阻变存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 挥发 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非挥发存储器，包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中，上电极位于器件顶部，其特征在于，下电极位于衬底上，在所述阻变材料的金属氧化物中掺杂金属，在上电极和阻变材料之间有增设一金属储氧层。
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