[发明专利]X-射线电子管的改良阴极结构有效
申请号: | 201310049328.8 | 申请日: | 2007-01-29 |
公开(公告)号: | CN103165366A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | J·T·阿诺德;S·班迪;G·维尔舒皮 | 申请(专利权)人: | 瓦里安医疗系统有限公司 |
主分类号: | H01J35/06 | 分类号: | H01J35/06 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;南毅宁 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请是X-射线电子管的改良阴极结构,公开了一种设备,该设备包括:丝极,该丝极用作X射线电子管的阴极,其中该丝极的部分具有至少一被改变的特性,其中所述部分包括来自基本丝极材料的元素,该元素从所述基础丝极材料中扩散,其中所述元素是钍以及所述基本丝极材料是含钍的钨,或者所述元素是铈以及所述基本丝极材料是含铈的钨,或者所述元素是镧以及所述基础丝极材料是含镧的钨。 | ||
搜索关键词: | 射线 电子管 改良 阴极 结构 | ||
【主权项】:
一种设备,该设备包括:丝极,该丝极用作X射线电子管的阴极,其中该丝极的部分具有至少一被改变的特性,其中所述部分包括来自基本丝极材料的元素,该元素从所述基础丝极材料中扩散,其中所述元素是钍以及所述基本丝极材料是含钍的钨,或者所述元素是铈以及所述基本丝极材料是含铈的钨,或者所述元素是镧以及所述基础丝极材料是含镧的钨。
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