[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其形成方法。钽合金层被用作场效应晶体管的功函数金属。该钽合金层可以选自TaC、TaAl和TaAlC。在与金属氮化物层组合使用时，钽合金层和金属氮化物层提供相差300mV~500mV的两个功函数值，从而实现具有不同阈值电压的多个场效应晶体管。钽合金层可以与第一栅极中的第一栅极电介质接触，且金属氮化物层可以与第二栅极电介质接触，该第二栅极电介质具有与第一栅极电介质相同的组成和厚度并位于第二栅极中。

主权项

一种包括至少两个场效应晶体管的半导体结构，所述半导体结构包括：第一场效应晶体管，其包括第一栅极电介质和第一栅极电极，其中，所述第一栅极电极包括与所述第一栅极电介质接触的导电钽合金层；以及第二场效应晶体管，其包括第二栅极电介质和第二栅极电极，其中，所述第二栅极电极包括与所述第二栅极电介质接触的金属氮化物层。