[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底；半导体衬底中的背栅隔离结构；以及背栅隔离结构上的相邻的场效应晶体管，其中，所述相邻的场效应晶体管中的每一个包括位于背栅隔离结构上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中，背栅隔离结构作为所述相邻的场效应晶体管的背栅导体的导电路径的一部分，并且，在所述相邻的场效应晶体管的背栅导体之间形成PNPN结或NPNP结。该半导体器件由于采用背栅隔离结构，分别地向一个或多个场效应晶体管的背栅施加不同的电压，从而相应地调节各个场效应晶体管的阈值电压。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底中的背栅隔离结构；以及背栅隔离结构上的相邻的场效应晶体管，其中，所述相邻的场效应晶体管中的每一个包括位于背栅隔离结构上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中，背栅隔离结构作为所述相邻的场效应晶体管的背栅导体的导电路径的一部分，并且，在所述相邻的场效应晶体管的背栅导体之间形成PNPN结或NPNP结，其中，背栅隔离结构包括：横向邻接的第一阱区和第二阱区；分别位于第一阱区和第二阱区上方并且分别与第一阱区和第二阱区邻接的第三阱区和第四阱区；以及将第三阱区和第四阱区隔开的浅沟槽隔离，其中，所述相邻的场效应晶体管中的第一场效应晶体管的背栅导体与第三阱区接触，第二场效应晶体管的背栅导体与第四阱区接触。