[发明专利]具有可调节电容的等离子体处理系统的方法和装置有效
申请号: | 201310050126.5 | 申请日: | 2008-06-23 |
公开(公告)号: | CN103177927B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 拉金德尔·德辛德萨;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种在等离子体处理室中处理衬底的方法。该衬底被置于卡盘上方并被边缘环围绕。该边缘环被从该卡盘电性隔离。该方法还包括向该卡盘提供射频电力。该方法还包括提供可调节电容装置。该可调节电容装置耦合于该边缘环以向该边缘环提供射频耦合,使得该边缘环具有边缘环电势。该方法进一步包括在该等离子体处理室中产生等离子体以处理该衬底。该衬底被处理而该可调节电容装置被配置为在处理该衬底的同时,按照所述衬底的直流电势动态调节所述边缘环电势。 | ||
搜索关键词: | 具有 调节 电容 等离子体 处理 系统 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种在等离子体处理室中处理衬底的方法,所述衬底被置于静电卡盘上方并被边缘环围绕,所述边缘环被从所述静电卡盘电性隔离,该方法包含:向所述静电卡盘提供射频电力;使用耦合环组件以由所述静电卡盘向所述边缘环提供射频耦合,所述耦合环组件围绕所述静电卡盘,其中所述耦合环组件包括上耦合环和与所述上耦合环耦合的下耦合环,空腔被形成在所述上耦合环和所述下耦合环之间;传送介电材料进出所述空腔以改变所述耦合环组件的电容;以及在所述等离子体处理室中产生等离子体以处理所述衬底,其中,在等离子体处理过程中,调整所述耦合环组件的电容以最小化所述衬底和所述边缘环之间的电势差以获得对该衬底的一致刻蚀;以及调整所述耦合环组件的电容以最大化该衬底和该边缘环之间的电势差以执行对该衬底的斜缘清洁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310050126.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:输出保护式智能转换电路
- 下一篇:低功耗电源转换电路