[发明专利]电子束描绘装置以及电子束描绘方法有效
| 申请号： | 201310051135.6 | 申请日： | 2013-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103257529A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 东矢高尚;中山贵仁 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐冰冰;黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及电子束描绘装置以及电子束描绘方法。电子束描绘装置（100）具备承载试样（216）的XY工作台（105）、配置有射出电子束（200）的电子枪（201）和具备在电子束（200）的轴向上排列的电极的电磁透镜（202、204、207、210）的电子镜筒（102）。在XY工作台（105）与电子镜筒（102）之间，设有遮挡电子束（200）向试样（216）照射而产生的反射电子或者2次电子的屏蔽板（211）。在屏蔽板（211）的正上方，配置有改变电子束（200）的焦点位置的静电透镜（210），对静电透镜（210）始终从电压供给单元（135）施加负的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 描绘 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束描绘装置，具有：工作台，承载试样；电子镜筒，配置有射出电子束的电子枪和具备在所述电子束的轴向上排列的电极的电磁透镜；以及屏蔽板，设于所述工作台与所述电子镜筒之间，遮挡所述电子束向所述试样照射而产生的反射电子或者2次电子，所述电子束描绘装置的特征在于，所述电磁透镜是配置于所述屏蔽板的正上方并改变所述电子束的焦点位置的静电透镜，所述电子束描绘装置具有对所述静电透镜始终施加负的电压的电压供给单元。
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