[发明专利]一种生产单晶硅的熔料工艺

摘要

本发明提供一种熔料工艺，包括以下步骤：调节氩气流量为70L/min-100L/min，加热器功率在0KW-80KW内上升，石英坩埚的转速为0.5rpm/min-1rpm/min；保持功率为77KW-83KW，至原料硅发生塌料；将功率降至67KW-73KW，使石英坩埚上升，石英坩埚的转速升至2rpm/min-3rpm/min；原料硅全部熔化；氩气流量调整至40L/min-60L/min，功率调为引晶功率，石英坩埚升至平口以下35mm-45mm处并保持8min-12min，坩埚位置升至平口位置并保持4min-6min，熔料工序完成。本发明的熔料工艺，能够提高单晶硅的生产质量并降低发生事故的风险。

主权项

一种生产单晶硅的熔料工艺，其特征在于，包括以下步骤：1）在熔料开始后的30min‑60min内，调节氩气流量为70L/min‑100L/min，使单晶炉的加热器功率在0KW‑80KW的范围内逐渐上升，石英坩埚的转速保持在0.5rpm/min‑1rpm/min，并使石英坩埚在单晶炉热场中处于其内盛放的原料硅的顶部距单晶炉的导流筒下沿10mm‑20mm的位置；2）保持加热器功率为77KW‑83KW，其余参数不变，直至石英坩埚内的原料硅发生塌料；3）发生塌料后，将加热器功率降至67KW‑73KW，使石英坩埚在热场中上升，直至石英坩埚中的原料硅靠近导流筒的下沿，石英坩埚的转速升至2rpm/min‑3rpm/min，并在原料硅后续熔化的过程中，保证原料硅不接触导流筒下沿的前提下，使石英坩埚逐步上升；4）保持工作状态不变，直至原料硅全部熔化；5）原料硅全部熔化后，在0s‑60s之内，将氩气流量调整至40L/min‑60L/min的范围内，加热器功率调为后续引晶工序的引晶功率，石英坩埚的位置升至平口以下35mm‑45mm处并保持8min‑12min，然后将坩埚位置升至平口位置并保持4min‑6min，最后将石英坩埚的位置升至后续引晶工序的引晶埚位，熔料工序完成。