[发明专利]微电子用超纯氟铵系列蚀刻液的制备方法

摘要

本发明涉及一种微电子用超纯氟铵系列蚀刻液的制备方法，该方法以工业级液氨及工业级干态氟化氢为原料，首先通过提纯分别获得浓度为28.0wt%~31.0wt%的高纯氨水和浓度为50.0wt%~60.0wt%的高纯氢氟酸，再使二者在40.0±0.50wt%的高纯氟化铵母液中混合反应，获得高纯氟化氨溶液，该高纯氟化氨溶液可进一步调配得到其它各种氟铵盐系列产品。此外，本发明还对氨水和氢氟酸的提纯的方法进行了改进，这些提纯方法均具有操作简单，稳定可靠以及可大规模制备的优势，从而可大规模稳定生产氟铵盐系列产品。

主权项

一种微电子用超纯氟铵系列蚀刻液的制备方法，其特征在于：以重量含量计，所述蚀刻液中，单项阴离子杂质含量低于50ppb，单项金属杂质含量低于1ppb，>0.2μm颗粒浓度小于100个/ml，所述方法包括下列步骤：（1）、以工业级液氨为原料制备单项阴离子杂质含量低于50ppb，单项金属杂质含量低于1ppb，>0.2μm颗粒浓度小于100个/ml，浓度为28.0wt%~32.0wt%的高纯氨水；（2）、以工业级干态氟化氢为原料制备单项阴离子杂质含量低于50ppb，单项金属杂质含量低于1ppb，>0.2μm颗粒浓度小于100个/ml，浓度为50.0 wt%~60.0wt%的高纯氢氟酸；（3）、将步骤（1）制备的高纯氨水、步骤（2）制备的高纯氢氟酸投加到浓度为40.0±0.50wt%的高纯氟化铵母液中，混合反应，获得浓度为40.0±0.50wt%的超纯氟化铵水溶液，即为所述蚀刻液，其中：高纯氨水、高纯氢氟酸的投料量满足[NH3]:[HF]=1:0.95~1.05，所述高纯氟化铵母液中，单项阴离子杂质含量低于50ppb，单项金属杂质含量低于1ppb，>0.2μm颗粒浓度小于100个/ml，在整个步骤（3）的过程中，控制溶液的温度在20℃~40℃之间。