[发明专利]基板处理装置、程序、存储介质和决定是否需要调节的方法有效
申请号: | 201310052308.6 | 申请日: | 2007-07-18 |
公开(公告)号: | CN103173739A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 森泽大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 基板处理装置的控制部以进行包括以下步骤的处理的方式实施控制,所述步骤包括:在腔室内实施先行的第一加工工艺的步骤;在实施第一加工工艺之后实施后继的第二加工工艺的步骤;在第一加工工艺结束后直至第二加工工艺开始前的期间,基于所述第一加工工艺的信息和所述第二加工工艺的信息决定是否进行调整腔室内环境的加工工艺间调节处理的步骤;当通过进行决定的步骤决定进行加工工艺间调节处理时,在第二加工工艺之前,实施加工工艺间调节处理的步骤。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 程序 存储 介质 决定 是否 需要 调节 方法 | ||
【主权项】:
一种对被处理基板实施规定的处理的基板处理装置,其特征在于,包括:收容被处理基板并能够真空排气的腔室;向所述腔室内供给处理气体和清扫气体的气体供给机构;对所述腔室内进行排气的排气机构;和控制在所述腔室内的处理的控制部,其中,所述控制部包括控制器和存储部,在所述存储部中保存有多个加工工艺方案,所述多个加工工艺方案包括分配给每个加工工艺组的加工工艺组编号,在所述存储部中保存有作为先行加工工艺组的加工工艺组编号和后继加工工艺组的加工工艺组编号的组合的矩阵而构成的、针对是否需要加工工艺间调节处理所规定的表,所述控制器进行控制,使得执行包括下述步骤的处理,所述步骤包括:在所述腔室内,根据从所述存储部读取的第一方案,实施先行的第一加工工艺的步骤;在实施所述第一加工工艺之后,根据从所述存储部读取的第二方案,实施后继的第二加工工艺的步骤;在所述第一加工工艺结束后,直至所述第二加工工艺开始为止的期间,基于所述第一方案中所包括的加工工艺组编号、所述第二方案中所包括的加工工艺组编号以及针对是否需要所述加工工艺间调节所规定的表,决定是否进行调节所述腔室内环境的加工工艺间调节的步骤;和当通过所述进行决定的步骤决定进行加工工艺间调节时,在所述第二加工工艺之前,实施加工工艺间调节的步骤。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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