[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201310052685.X | 申请日： | 2013-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103258787B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李镐珍;李圭夏;崔吉铉;崔溶洵;姜泌圭;朴炳律;郑显秀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 韩芳,刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上方形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基层中形成导电孔结构，所述基层包括第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对；去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露，其中，形成第一下绝缘层的步骤利用旋涂、喷涂和可流动化学气相沉积中的一种不用抛光形成平坦的第一下绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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