[发明专利]制造半导体器件的方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201310052865.8 | 申请日： | 2013-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103258744B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·菲尔古特;约阿希姆·马勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,李静 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体器件的方法及半导体器件，该方法包括，提供具有第一主面以及与第一主面相对的第二主面的半导体芯片。该半导体芯片包括与第一主面相邻的电子器件。在第二主面处去除除了预定部分之外的半导体芯片的材料，使得第二主面保持非平面表面。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面以及连接所述第一主面和所述第二主面的侧面的半导体芯片，所述半导体芯片包括与所述第一主面相邻的电子器件；将密封层施加到所述半导体芯片的所述第一主面和所述侧面上，使得所述密封层包括与所述半导体芯片的第一主面面对的第一主面以及与所述半导体芯片的第二主面共面的第二主面；以及在所述半导体芯片的第二主面处从所述半导体芯片选择性地去除除了预定部分之外的材料，使得在所述半导体芯片的第二主面处保持非平面表面，去除从所述半导体芯片的第一主面到所述密封层的第一主面之间的所述密封层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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