[发明专利]一种用于LED集成封装模块的过渡电极及其制造方法无效
| 申请号： | 201310053373.0 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103094447A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 谷青博;崔泽英 | 申请（专利权）人： | 河北神通光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050200 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于LED集成封装模块的过渡电极及其制造方法，涉及照明装置内连接装置的元件技术领域。所述过渡电极包括衬底和电极，所述电极固定在所述衬底的上表面，所述电极的面积大于LED芯片电极的面积。在LED芯片之间插入一些过渡电极，使LED芯片通过此过渡电极和引线来连接，可以方便的更换损坏的LED芯片，有效的解决了生产中LED芯片邦定故障维修困难的问题。此外可以在芯片排布上更加灵活，除了设计先串后并等电路结构外还可以设计先并后串等更加复杂的电路结构，降低了损坏的LED芯片对模块的影响，从而增加了LED集成封装模块的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 led 集成 封装 模块 过渡 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于LED集成封装模块的过渡电极，其特征在于所述过渡电极包括衬底（1）和电极（2），所述电极（2）固定在所述衬底（1）的上表面。
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