[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、制造方法及显示装置有效
| 申请号： | 201310053580.6 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103149760A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张洪波;侯智;吴代吾;杨子衡;陈先好;马青青 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 230011 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板、制造方法及显示装置，涉及液晶显示技术领域，解决了现有的薄膜晶体管阵列基板遮光处理差的问题。本发明实施例中，由于设有黑矩阵及顶栅型薄膜晶体管，黑矩阵设置在衬底与顶栅型薄膜晶体管的半导体层之间，能够遮挡住背光源射向半导体层的光线，避免了光线对半导体层照射产生的影响，提高了遮光处理效果，从而提高了液晶显示器的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的像素单元内的非显示区上包括：设在衬底上的顶栅型薄膜晶体管及黑矩阵；所述顶栅型薄膜晶体管在所述阵列基板的出光方向上依次设置有半导体层、源漏极、栅极绝缘层及栅极；所述黑矩阵设置在所述衬底与所述半导体层之间；所述黑矩阵用于遮挡透过所述衬底射向所述半导体层的光线。
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