[发明专利]结壳热阻测试方法有效
| 申请号： | 201310054317.9 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103175861A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 仇志杰;张瑾;温旭辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种结壳热阻测试方法，包括以下步骤：（1）测量干接触条件下待测器件的瞬态降温曲线；（2）测量湿接触条件下待测器件的瞬态降温曲线；（3）计算干接触条件下的瞬态降温曲线和湿接触条件下的瞬态降温曲线温度变化幅度的差△T；（4）将测试设备中的恒温散热冷板温度升高△T，再次测量湿接触条件下的瞬态降温曲线；（5）使用步骤（1）测得的干接触瞬态降温曲线和步骤（4）测得的湿接触瞬态降温曲线计算结壳热阻。 | ||
| 搜索关键词： | 结壳热阻 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种结壳热阻测试方法，其特征在于，所述的测试方法包括以下步骤：（1）测量干接触条件下待测半导体器件的芯片的瞬态降温曲线；（2）测量湿接触条件下待测半导体器件的芯片的瞬态降温曲线；（3）计算干接触条件下的瞬态降温曲线和湿接触条件下的瞬态降温曲线温度变化幅度的差△T；（4）将测试设备中的恒温散热冷板温度升高△T，再次测量湿接触条件下的瞬态降温曲线；（5）使用步骤（1）测得的干接触瞬态降温曲线和步骤（4）测得的湿接触瞬态降温曲线计算结壳热阻。
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