[发明专利]一种孔状GaN基光子晶体LED的制备方法有效
| 申请号： | 201310054509.X | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103151436A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张铮;徐智谋;孙堂友;何健;张学明 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出一种GaN基孔状光子晶体LED的制备方法，包括：生长GaN基LED外延片，并在外延片上匀底胶；利用孔状硬模板进行纳米压印，脱模后在外延片底胶表面上形成一层柱状阵列图案；在柱状阵列图案上匀第二层胶，其中该第二层胶为硅掺杂胶；依次进行硅刻蚀直至柱状阵列图案的柱子表面暴露，对底胶进行刻蚀直到GaN外延片暴露，以硅掺杂胶为掩模刻蚀外延片，经上述三步刻蚀得到表面具有孔状光子晶体结构，后续处理后即可得所述孔状表面光子晶体LED。本发明还公开了利用上述方法制备得到的GaN基孔状光子晶体LED。本发明利用纳米压印技术和孔状硬质模板，借助第二层硅掺杂胶的特殊性和对刻蚀气体的选择性，仅一步压印后刻蚀即可实现孔模板到孔状光子晶体的转移。 | ||
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【主权项】：
一种孔状GaN基光子晶体LED的制备方法，其利用纳米压印通过孔状硬模板制备出具有表面孔状结构光子晶体LED，该方法包括：生长GaN基LED外延片，并在外延片上匀底胶；利用孔状硬模板进行纳米压印，脱模后在外延片底胶表面上形成一层柱状阵列图案；在上述柱状阵列图案上匀第二层胶，其中该第二层胶为硅掺杂胶；依次进行硅刻蚀直至柱状阵列图案的柱子表面暴露，对底胶进行刻蚀直到GaN外延片暴露，以硅掺杂胶为掩模刻蚀外延片，经上述三步刻蚀得到表面具有孔状光子晶体结构，进一步处理后即可得所述孔状表面光子晶体LED。
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