[发明专利]保护电路和自动化组件有效
| 申请号： | 201310054898.6 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103259247A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·内措尔德 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20;H02H3/24 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于保护电装置（3）的输入端（2）或输出端防止过压的保护电路（1），在输入端（2）上或者输出端布置串联电路，其包括第一晶体管（T1）和第二晶体管（T2），第一晶体管（T1）设计为n沟道场效应晶体管，第二晶体管设计为p沟道场效应晶体管，每个晶体管具有栅极端子、漏极端子和源极端子，第一晶体管的漏极端子连接在第一连接点（5）上，第二晶体管的源极端子连接在输入端（2）或输出端上，第一晶体管的源极端子连接在第二晶体管的漏极端子上，此外第一晶体管的栅极端子通过第一电阻（R1）与电压源（4）的第一极（+）相连，第二晶体管的栅极端子通过第二电阻（R2）与电压源的第二极（-）相连。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 自动化 组件 | ||
【主权项】：
一种用于保护电装置（3）的输入端（2）或输出端防止过压的保护电路（1），其特征在于，在所述输入端（2）上或者所述输出端上设置串联电路，其中，所述串联电路包括第一晶体管（T1）和第二晶体管（T2），所述第一晶体管（T1）设计为n沟道场效应晶体管，所述第二晶体管（T2）被计为p沟道场效应晶体管，其中，每个所述晶体管（T1、T2）具有栅极端子、漏极端子和源极端子，其中，所述第一晶体管（T1）的所述漏极端子连接在第一连接点（5）上，所述第二晶体管（T2）的所述源极端子连接在所述输入端（2）或所述输出端上，并且所述第一晶体管（T1）的所述源极端子连接在所述第二晶体管（T2）的所述漏极端子上，此外，所述第一晶体管（T1）的所述栅极端子通过第一电阻（R1）与电压源（4）的第一极（+）相连，并且所述第二晶体管（T2）的所述栅极端子通过第二电阻（R2）与所述电压源（4）的第二极（‑）相连。
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