[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310054919.4 | 申请日： | 2008-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103151439A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 李尚烈 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;彭鲲鹏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下方的有源层和在所述有源层下方的第二导电型半导体层；在所述发光结构下方的反射电极层；和在所述反射电极层的外周处的外保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下方的有源层和在所述有源层下方的第二导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极，其中，所述第二导电型半导体层包括中心部分和包围所述中心部分的外周部分，所述外周部分的厚度比所述中心部分的厚度低预定的深度，和其中所述第一导电型半导体层包括AlGaN层和所述第二导电型半导体层包括AlGaN层。
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