[发明专利]一种剥离侧墙制程的方法

摘要

本发明涉及一种剥离侧墙制程的方法，在常规的氮化硅侧墙刻蚀和源漏离子注入后增加一步通过快速高温氧化来制备氧化层的步骤，在该步骤中制备氧化膜时，在氮化硅侧墙表面上形成的快速高温氧化膜的厚度小于其他部分表面形成的快速高温氧化膜的厚度，因此能够在后续的氢氟酸去除覆盖侧墙表面的快速高温氧化膜时仍保留硅基板上的快速高温氧化膜，在去除了侧墙上覆盖的快速高温氧化膜后，继续采用热磷酸去除所述侧墙，及用氢氟酸去除剩余的氧化层。该方法能够在侧墙剥离时有效保护硅基板，进而避免了硅基板在受到损伤后容易在后续的金属硅化物工艺中形成管状缺陷的问题。

主权项

一种剥离侧墙制程的方法，应用于一具有栅极结构的硅基板上，所述栅极结构包括栅极、侧墙和二氧化硅氧化层，所述二氧化硅氧化层覆盖所述栅极的顶部及其侧壁的表面，且该二氧化硅氧化层还部分覆盖所述硅基板的上表面，所述侧墙覆盖位于所述栅极两侧的所述二氧化硅氧化层的表面上，其特征在于，包括如下步骤：制备氧化层，所述氧化层覆盖所述栅极结构的表面及所述硅基板暴露部分的上表面；部分去除所述氧化层至所述侧墙表面；去除所述侧墙；去除剩余的氧化层和所述二氧化硅氧化层；其中，覆盖所述侧墙表面上的氧化膜的厚度小于其余部分氧化膜的厚度。