[发明专利]一种氧化反应炉及利用该反应炉进行氧化反应的方法有效
| 申请号： | 201310055077.4 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103165497A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 江润峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种立式反应炉，尤其涉及一种氧化反应炉及利用该反应炉进行氧化反应的方法，在现有技术的反应炉增设了一根N2O管，该N2O管位于反应炉内的高度高于其余特气管的高度，且该N2O管的顶部开口端位于反应炉内晶舟高度的1/3到2/3处。在实际生产过程中，通过特气管道往反应炉内通入相应的反应气体，并将增设的N2O管的气体流量控制在一定范围内，可减小由于反应炉上下不同位置处反应气体浓度的差异性，进而保证了各个位置处的硅片生成氧化膜厚度均匀度，提高了生产工艺和硅片的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 反应炉 利用 进行 反应 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化反应炉，所述反应炉内设置有内石英管壁、外石英管壁、晶舟和排气管路，其特征在于，所述反应炉内还设置有多根特气管路，所述特气管路包括至少一根DCS管路和至少两根N2O管路；所述多跟特气管路将反应气体通入由所述内石英管壁和外石英管壁构成的腔室内，所述排气管将所述腔室内的气体排出所述反应炉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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