[发明专利]金属凸块接合结构有效
| 申请号： | 201310055099.0 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103779297B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 林俊成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种结构包括具有第一金属凸块的第一半导体芯片和具有第二金属凸块的第二半导体芯片。该结构还包括电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的焊料接合结构，其中焊料接合结构包括位于第一金属凸块和第二金属凸块之间的金属间化合物区域，其中金属间化合物区域具有第一高度尺寸；和沿着第一金属凸块和第二金属凸块的外壁形成的围绕部分，其中围绕部分具有第二高度尺寸，并且第二高度尺寸大于第一高度尺寸。本发明提供了金属凸块接合结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 接合 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的结构，包括：第一半导体元件，包括：第一金属凸块，形成在所述第一半导体元件的顶面上方；和第一阻挡层，形成在所述第一金属凸块的第一平坦表面上而不形成在所述第一金属凸块的侧表面上；第二半导体元件，包括：第二金属凸块，形成在所述第二半导体元件的顶面上方；和第二阻挡层，形成在所述第二金属凸块的第二平坦表面上而不形成在所述第二金属凸块的侧表面上；以及焊料接合结构，电连接所述第一金属凸块和所述第二金属凸块，其中，所述焊料接合结构包括：金属间化合物区域，形成在所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间，所述金属间化合物区域由焊料与所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层之间的冶金反应形成，所述金属间化合物区域未与所述第一金属凸块和所述第二金属凸块直接接触，其中，所述金属间化合物区域具有第一高度尺寸；和围绕部分，沿着所述第一金属凸块和所述第二金属凸块的外壁形成，其中，所述围绕部分具有第二高度尺寸，并且所述第二高度尺寸大于所述第一高度尺寸。
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