[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310055161.6 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103151266A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 细羽幸;坂田淳一郎;大原宏树;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一个目的是提供具有稳定电特性的使用氧化物半导体的半导体器件。氧化物半导体层经受在氮气体或者诸如稀有气体(例如氩或氦)之类的惰性气体气氛中或者在降低的压力下的用于脱水或脱氢处理的热处理以及经受在氧的气氛、氧和氮的气氛或者空气(露点优选地低于或等于40C，更优选地低于或等于50C)气氛中的用于提供氧的处理的冷却步骤。因此，氧化物半导体层经过高度纯化，由此形成i型氧化物半导体层。制造包括具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底之上形成栅电极；在所述衬底和所述栅电极之上形成栅绝缘膜；通过溅射在所述栅绝缘膜之上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行加热处理以降低所述氧化物半导体层的氢浓度；在进行所述加热处理后将氧提供至所述氧化物半导体层中；以及在所述氧化物半导体层之上形成源电极和漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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