[发明专利]磁性多层膜霍尔元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310055476.0 | 申请日： | 2013-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103137850B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 朱涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/14;B82Y25/00;H01F10/08 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 | 代理人： | 范晓斌,康正德 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性多层膜霍尔元件及其制备方法。所述磁性多层膜霍尔元件包括复合多层结构的磁性多层膜，所述磁性多层膜包括至少一个基本单元，每一所述基本单元包括非磁性金属化合物层MO、磁性金属材料层FM和非磁性金属材料层NM，其中，在所述基本单元中，所述非磁性金属化合物层MO和所述非磁性金属材料层NM分别设置在所述磁性金属材料层FM的两侧；所述非磁性金属材料层NM由选自Ta、Hf、Zr、Mo、Nb和W其中之一的金属形成，或由包含Ta、Hf、Zr、Mo、Nb和W其中至少一种元素的合金形成。本发明的磁性多层膜霍尔元件同时具有大霍尔电阻率，大纵向电阻率以及小矫顽力的特性，有望用于制备高性能的霍尔元件。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 多层 霍尔 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性多层膜霍尔元件，包括复合多层结构的磁性多层膜，所述磁性多层膜包括至少一个基本单元，每一所述基本单元包括非磁性金属化合物层MO、磁性金属材料层FM和非磁性金属材料层NM，其中，在所述基本单元中，所述非磁性金属化合物层MO和所述非磁性金属材料层NM分别设置在所述磁性金属材料层FM的两侧；所述非磁性金属材料层NM由选自Ta、Hf、Zr、Mo、Nb和W其中之一的金属形成，或由包含Ta、Hf、Zr、Mo、Nb和W其中至少一种元素的合金形成；所述磁性金属材料层FM由含有B元素的磁性合金形成。
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