[发明专利]一种制作VDMOS的方法有效
| 申请号： | 201310056245.1 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103996622A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种制作VDMOS的方法，包括提供一N型衬底，在衬底的第一表面上形成N型外延层；在N型外延层上生长场氧，形成场氧化层；在场氧化层上刻蚀出有源区，注入N型离子并驱入；在场氧化层上刻蚀出至少一个环区，在每个环区注入P型离子；在有源区和环区上生长栅氧，形成栅氧化层；在N型外延层的上表面的下方形成阈值注入层；在栅氧化层上沉积多晶硅，形成多晶硅层，作为VDMOS的栅极；在有源区且在多晶硅层的两侧注入P型离子并驱入；在驱入P型离子的区域上形成VDMOS的源极；对衬底的第二表面进行减薄，并在减薄后的第二表面上生长金属层，形成VDMOS的漏极。使用前述方法可以随时调节电压，使用起来较为方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 vdmos 方法 | ||
【主权项】：
一种制作垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管VDMOS的方法，其特征在于，包括：提供一N型衬底，在所述衬底的第一表面上形成N型外延层；在所述N型外延层上生长场氧，形成场氧化层；在所述场氧化层上刻蚀出有源区，并在所述有源区注入N型离子并驱入；在所述场氧化层上刻蚀出至少一个环区，并在每个环区注入P型离子；分别在所述有源区和所述环区上生长栅氧，形成栅氧化层；在所述N型外延层的上表面的下方形成阈值注入层；在所述栅氧化层上沉积多晶硅，形成多晶硅层，将其作为VDMOS的栅极；在所述有源区且在所述多晶硅层的两侧注入P型离子并驱入；在驱入P型离子的区域上形成VDMOS的源极；对所述衬底的第二表面进行减薄，并在减薄后的第二表面上生长金属层，形成VDMOS的漏极。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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