[发明专利]使用自旋转移力矩磁阻装置的软件可编程逻辑有效

专利信息
申请号: 201310056261.0 申请日: 2008-03-31
公开(公告)号: CN103151068A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 卢·G·蔡-奥恩;马修·迈克尔·诺瓦克;升·H·康 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;G11C5/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及使用自旋转移力矩磁阻装置的软件可编程逻辑。本发明揭示用于使用自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)技术的软件可编程逻辑的系统、电路及方法。磁性隧道结(MTJ)存储元件可形成为输入平面及输出平面。所述输入平面及输出平面可耦合在一起以形成允许实现逻辑功能的复阵列。
搜索关键词: 使用 自旋 转移 力矩 磁阻 装置 软件 可编程 逻辑
【主权项】:
一种可编程逻辑阵列,其包括:多个自旋转移力矩磁性隧道结MTJ装置(210),其被布置于阵列中;及多个可编程源(512,514),其耦合到对应MTJ装置(210)以用于改变每一MTJ装置(210)的自由层的极性;其中所述MTJ装置(210)的第一组被布置成输入平面(220)的列和行,其中所述MTJ装置(210)的第二组被布置成输出平面(240)的至少一个列,所述输入平面(220)的每一行的输出耦合至所述输出平面(240)的所述至少一个列的MTJ装置,以及其中所述输入平面(220)和所述输出平面(240)经组合以基于所述输入平面(220)中的一行内的不同列的MTJ装置(210)和所述输出平面(240)中的所述至少一个列的MTJ装置(210)的所述自由层的相对极性形成逻辑功能。
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