[发明专利]沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法有效
| 申请号： | 201310056713.5 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103296000B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | R.贝格尔;S.庞普尔;T.波普 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;王洪斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法。一种形成半导体器件的方法包括：在衬底中形成具有侧壁的开口；以及在所述开口中形成第一外延层。所述第一外延层是在所述侧壁的第一部分中形成的，而不是在所述侧壁的第二部分中生长。在形成所述第一外延层之后，在所述开口中形成第二外延层。所述第二外延层是在所述侧壁的第二部分中形成的。在形成所述第二外延层之后，移除所述第一外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 电容器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有包括第一侧壁的开口；中央柱，布置在所述开口的中央区中，所述中央柱包括第一电极材料；第一介电层，布置在所述中央柱周围；第二电极材料，布置在所述第一介电层周围，所述第二电极材料接触所述第一侧壁的第一部分；外围柱，布置在所述开口的外围区中，所述外围柱电耦合至所述中央柱；以及第二介电层，布置在所述外围柱周围，所述第二介电层接触所述第一侧壁的第二部分。
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