[发明专利]等离子处理装置以及试料台有效
申请号: | 201310057014.2 | 申请日: | 2013-02-22 |
公开(公告)号: | CN103972130B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 楠本广则;大本丰;中本和则;永井宏治 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种能够使晶片的温度变化高速化,提高温度调节的精度,提高处理效率的等离子处理装置。是将晶片放置在配置于真空容器内部的处理室内的试料台上,使用在上述处理室内形成的等离子处理上述晶片的等离子处理装置,具有在上述试料台的内部与在径向和圆周方向上划分的各个区域对应的加热器部分,具备至少径向外周侧的区域的加热器串联连接在各自上进行发热量调节的多个圆周方向部分。 | ||
搜索关键词: | 等离子处理装置 加热器 试料台 晶片 室内 等离子处理 发热量调节 处理效率 晶片放置 区域对应 温度调节 真空容器 高速化 试料 外周 配置 | ||
【主权项】:
一种等离子处理装置,是将晶片放置在配置于真空容器内部的处理室内的试料台上,使用在上述处理室内形成的等离子处理上述晶片的等离子处理装置,其中,上述等离子处理装置包括多个加热器,上述多个加热器被配置在具有圆筒形状的上述试料台的内部,上述试料台的内部配置有圆板或圆筒形状的基材,上述多个加热器被配置于上述基材的上方,并且上述多个加热器被配置在关于从上述基材的中心朝向外周侧的径向以及上述中心周围的圆周方向被分成的多个区域内,上述等离子处理装置还包括:控制部,调节这些多个加热器的发热量;以及高频电源,对上述基材供给高频电力而在上述晶片的上方形成偏置电位,关于上述径向被分成的上述多个区域各自包括在上述中心周围的圆周方向上延伸的圆弧状的区域,在关于该径向被分成的多个区域的相邻的区域中,径向外侧的区域的上述圆弧状的区域具有沿着上述基材的中心周围的圆周方向的整周被分成多个而配置的多个区域,被分成多个的该区域的个数比上述相邻的径向内侧的区域的上述圆弧状的区域的个数多,在关于上述径向被分成的多个区域中的径向外侧的区域的至少一个区域中,一个该圆弧状的区域的被分成多个的上述区域分别配置有上述多个加热器中的一个,该多个加热器相对于一个直流电源串联连接构成串联电路,并且上述串联电路包括:多个调节器,与构成上述串联电路的上述多个加热器分别并联连接而构成该电路,并且调节流过各自被并联连接的各个加热器的电流的量;供电用线路,用于供应来自上述直流电源的电力,其中,构成上述串联电路的上述多个加热器中的一个加热器和关于上述圆周方向与该一个加热器邻接的另一个加热器分别连接于上述直流电源;以及用于上述高频电力的滤波器,在该供电用线路上配置在上述多个加热器和上述直流电源之间,上述控制部具有调节上述多个调节器的功能,通过该控制部调节上述多个加热器各自的发热量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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