[发明专利]一种磁隔离驱动电路

摘要

本发明涉及一种应用于开关电源功率开关管的磁隔离驱动电路，尤其涉及一种应用于碳化硅功率MOS管的磁隔离驱动电路。包括：控制电路；第一电容C1；隔离驱动变压器T1；第二电容C2；二极管D1；驱动脉冲放大电路，并联于二极管D1；稳压管ZD1；电容C3，并联于稳压管ZD1；电阻R1和驱动电阻Rg。本发明有效避免了变压器T1副边漏感对开关管的影响，减小了驱动电压尖峰值，降低了开关管被击穿的可能性；驱动电流能力强，提高开关管的开关频率。驱动脉冲含有负电压，能够有效防止被驱动开关管的误导通，提高电源的工作稳定性。适用于各种占空比信号；电路结构简单，成本低廉，尤其能够充分发挥碳化硅MOS管的性能优势。

主权项

本发明涉及一种磁隔离栅极驱动电路，包括：产生驱动脉冲的控制电路，所述控制电路由第一直流电源(VCC1)供电，与所述控制电路连接的隔离驱动变压器(T1)，所述隔离驱动变压器(T1)的输入侧与输出侧同名端为同相，连接于控制电路与所述隔离驱动变压器(T1)输入侧同名端之间的第一电容(C1)，与所述隔离驱动变压器(T1)输出侧同名端串联的第二电容(C2)，连接于所述第二电容(C2)另一端子与所述隔离驱动变压器(T1)输出侧异名端之间的二极管(D1)；其特征在于，还包括：与所述二极管(D1)并联的驱动脉冲放大电路，所述驱动脉冲放大电路由第二直流电源(VCC2)供电，所述二极管(D1)的阳极与所述第二直流电源VCC2的地端子相连，与所述驱动脉冲放大电路输出端串联的驱动电阻(Rg)，驱动电阻(Rg)的另一端与被驱动MOS管(Qsw)的栅极相连，与所述第二直流电源(VCC2)正端子串联的电阻(R1)，与所述电阻(R1)的另一端串联的稳压管(ZD1)，其中，所述电阻(R1)与稳压管(ZD1)的连接点与所述被驱动MOS管(Qsw)的源极相连，与所述稳压管(ZD1)并联的第三电容(C3)，所述稳压管(ZD1)的阳极与所述第二直流电源(VCC2)的地端子相连，其中，所述驱动脉冲放大电路、驱动电阻(Rg)、被驱动MOS管(Qsw)与稳压管(ZD1)构成一个串联回路。