[发明专利]一种III族氮化物纳米结构的制作方法有效
| 申请号： | 201310057347.5 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103199004A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 彭铭曾;翟俊宜;王中林 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王凤桐;周建秋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种III族氮化物纳米结构的制作方法，采用电子束直写曝光形成纳米图形并结合金属掩模和干法刻蚀手段，得到III族氮化物纳米结构材料。本发明的制作方法简单易行，并且具有图形尺寸可控、位置分布有序等优点，非常适用于纳米发电机、自驱动传感器网络和纳米光机电一体化系统领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 氮化物 纳米 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物纳米结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上生长III族氮化物薄膜；在所述III族氮化物薄膜上涂覆电子束光刻胶层；采用电子束直写技术对所述电子束光刻胶层按照预先设计的纳米图形进行曝光；对曝光后的电子束光刻胶层依次进行显影、定影和清洗处理，在所述III族氮化物薄膜上形成具有所述纳米图形的电子束光刻胶掩膜层；以所述电子束光刻胶掩膜层为掩膜，在所述III族氮化物薄膜上沉积金属薄膜层；采用金属剥离法去除所述电子束光刻胶掩膜层和电子束光刻胶掩膜层上的金属薄膜层，在所述III族氮化物薄膜的表面形成与所述电子束光刻胶掩膜层的图形互补的图形化金属掩膜层；以所述金属掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀技术刻蚀所述III族氮化物薄膜，形成图形化纳米结构；腐蚀去除所述金属掩膜层，形成III族氮化物纳米结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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