[发明专利]具有栅极隔离物的增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法

摘要

一种具有自对准的栅极隔离物、栅极金属材料和栅极化合物的增强型GaN器件，及其制备方法。使用单一光掩模对上述各材料进行图案化和进行蚀刻，这可降低制造成本。所述栅极隔离物和所述栅极化合物的界面比介电膜和所述栅极化合物的界面具有更低的泄漏，从而降低栅极泄漏。此外，使用欧姆接触金属层作为场板，以减小朝向漏极触点的掺杂的III‑V栅极化合物拐角处的电场，这导致减小的栅极泄漏电流和改进的栅极可靠性。

主权项

形成增强型GaN晶体管的方法，所述方法包括：在衬底上形成缓冲材料；在所述缓冲材料之上形成AlGaN阻挡层；在所述AlGaN阻挡层之上形成栅极III‑V化合物；在所述栅极III‑V化合物的上表面的第一部分上形成含栅极金属的堆栈；在所述栅极III‑V化合物的所述上表面的第二部分上以及在所述栅极金属的堆栈的侧壁上形成隔离物材料，其中所述隔离物材料是电介质材料；使用所述栅极金属和隔离物材料作为掩模对所述栅极III‑V化合物进行蚀刻；沉积电介质层；蚀刻所述电介质层，以暴露漏极和源极接触区域；和在暴露的漏极和源极接触区域中形成漏极和源极的欧姆接触，所述源极欧姆接触在所述栅极上方形成并朝向所述漏极欧姆接触。