[发明专利]基于吡咯烷酮阳离子的聚合物阴离子交换膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310057629.5 申请日: 2013-02-22
公开(公告)号: CN103084223A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 方军;兰程莉 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: B01J41/14 分类号: B01J41/14;C08J5/18;C08F226/10
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 基于吡咯烷酮阳离子的聚合物阴离子交换膜及其制备方法,涉及一种离子交换膜及其制备方法。提供一种制备方法简单、成本低、电导率较高、具有良好的化学稳定性及热稳定性的基于吡咯烷酮阳离子的聚合物阴离子交换膜及其制备方法。先自由基共聚合合成含吡咯烷酮阳离子基团的聚合物,再将所得到的含吡咯烷酮阳离子基团的聚合物溶解在有机溶剂中配制成聚合物溶液,用相转化法浇铸成膜,干燥后即得到基于吡咯烷酮阳离子的聚合物阴离子交换膜。
搜索关键词: 基于 吡咯烷酮 阳离子 聚合物 阴离子 交换 及其 制备 方法
【主权项】:
1.基于吡咯烷酮阳离子的聚合物阴离子交换膜,其特征在于其化学结构式为:其中R1、R2为氢原子或者碳原子数小于4的烷基,R3为氢原子或者碳原子数小于5的烷基,R4、R5为氢原子或者碳原子数小于4的烷基,R6为苯基或者酯基;X-为阴离子,可以是Cl-、Br-、F-、BF4-、PF6-、SO3H-、OH-中的任一种;m和n为聚合度,是大于零的整数。
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