[发明专利]具有金红石结晶相二氧化钛介电膜的半导体器件有效
| 申请号： | 201310057648.8 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103915512B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 谢君毅;丹尼尔·丹哲那宾克 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容结构，包含有一第一电极，设于一基材上；一二氧化钛介电层，直接形成在所述第一电极上，其中所述二氧化钛介电层仅单纯具有金红石结晶相；以及一第二电极，位于所述二氧化钛介电层上。根据本发明实施例，在所述第一电极与所述二氧化钛介电层之间不需要模版层、晶种层或预处理层。此外，也不需要对所述二氧化钛介电层进行任何的掺质掺杂处理。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金红石 结晶 氧化 钛介电膜 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有金红石结晶相二氧化钛介电层的半导体器件的制造方法，其特征在于，包含：提供一基材；于所述基材上沉积一第一电极；进行一水基原子层沉积法，于所述第一电极上沉积一过渡非晶相二氧化钛层，仅包含非晶相的二氧化钛，其中所述水基原子层沉积法包含于一反应腔供应一钛前驱物，其中所述钛前驱物为四氯化钛(TiCl4)，其中所述水基原子层沉积法的反应温度介于150℃至450℃之间；以氧等离子体处理所述过渡非晶相二氧化钛层，将所述过渡非晶相二氧化钛层全部转换成一金红石结晶相二氧化钛层，仅包含金红石结晶相的二氧化钛，其中所述第一电极是直接接触所述金红石结晶相二氧化钛层；以及于所述金红石结晶相二氧化钛层上沉积一第二电极。
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