[发明专利]一种薄膜结构、压力传感器及电子装置有效
申请号: | 201310058108.1 | 申请日: | 2013-02-25 |
公开(公告)号: | CN104003346B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 金滕滕;丁敬秀;张先明;张复雄 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;G01L1/14 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜结构、压力传感器及电子装置,涉及半导体技术领域。本发明的薄膜结构,包括至少两层层叠的主体结构层,以及位于相邻的所述主体结构层之间的层间过渡层;其中,所述主体结构层的材料为导电材料,所述层间过渡层的材料为非晶态化合物。本发明的压力传感器,其包括上述的薄膜结构。本发明的电子装置,包括上述的压力传感器。相对于现有技术,本发明的薄膜结构具有更好的应力性能,更好的表面平整度,以及更小的应变梯度。本发明的压力传感器,使用了该薄膜结构,具有更好的敏感度和可靠性。本发明的电子装置,由于使用了上述压力传感器,因而亦具有更好的灵敏度和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 结构 压力传感器 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种可发生形变的导电薄膜结构,其特征在于,包括至少两层层叠的主体结构层,所述主体结构层的材料为导电材料,以及位于相邻的所述主体结构层之间的层间过渡层,所述层间过渡层的材料为非晶态化合物,以使所述导电薄膜结构具有更好的表面平整度和更小的应变梯度。
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