[发明专利]一种薄膜结构、压力传感器及电子装置有效

专利信息
申请号: 201310058108.1 申请日: 2013-02-25
公开(公告)号: CN104003346B 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 金滕滕;丁敬秀;张先明;张复雄 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;G01L1/14
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种薄膜结构、压力传感器及电子装置,涉及半导体技术领域。本发明的薄膜结构,包括至少两层层叠的主体结构层,以及位于相邻的所述主体结构层之间的层间过渡层;其中,所述主体结构层的材料为导电材料,所述层间过渡层的材料为非晶态化合物。本发明的压力传感器,其包括上述的薄膜结构。本发明的电子装置,包括上述的压力传感器。相对于现有技术,本发明的薄膜结构具有更好的应力性能,更好的表面平整度,以及更小的应变梯度。本发明的压力传感器,使用了该薄膜结构,具有更好的敏感度和可靠性。本发明的电子装置,由于使用了上述压力传感器,因而亦具有更好的灵敏度和可靠性。
搜索关键词: 一种 薄膜 结构 压力传感器 电子 装置
【主权项】:
1.一种可发生形变的导电薄膜结构,其特征在于,包括至少两层层叠的主体结构层,所述主体结构层的材料为导电材料,以及位于相邻的所述主体结构层之间的层间过渡层,所述层间过渡层的材料为非晶态化合物,以使所述导电薄膜结构具有更好的表面平整度和更小的应变梯度。
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