[发明专利]一种提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法有效
| 申请号： | 201310058265.2 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103165421A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王刚;王彦君;张雪囡 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/261 | 分类号： | H01L21/261 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李莉华 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)腐蚀、冲洗、烘干：将硅单晶用硝酸和氢氟酸进行腐蚀后，用去离子水冲洗后烘干；(2)浸泡：将硅单晶放入五氧化二磷溶液中浸泡；(3)晾干：自然晾干；(4)入炉：将步骤(3)得到的单晶硅放在石英舟中，入热处理炉；(5)通气：向炉内通入氧气；(6)退火。本发明的有益效果是减少了退火过程中金属离子对单晶的沾污，提高了单晶少子寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 中子 嬗变 掺杂 应力 硅单晶 退火 少子 寿命 方法 | ||
【主权项】：
一种提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)腐蚀、冲洗、烘干：将硅单晶用硝酸和氢氟酸进行腐蚀，用去离子水冲洗后烘干；(2)浸泡：将硅单晶放入五氧化二磷溶液中浸泡；(3)晾干：自然晾干；(4)入炉：将步骤(3)得到的单晶硅放在石英舟中，入热处理炉；(5)通气：向炉内通入氧气；(6)退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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